PlasmaQuant MS分析芯片制造过程中清洗液中的磷

东南科仪 2025-07-07 | 阅读：70

摘要

在半导体行业需要应用ICP-MS监测芯片制造过程中的清洗液中磷的含量。磷的质荷比为31 ，会受到N15O16 、 Si28H1 、 N14O16H1等多原子离子的干扰，以至于背景信号特别高，检出限难以满足要求。故本实验采用冷焰条件，通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。检出限低至 0.037ug/L ，同时对比了热焰情况下、 ICPMS的测试结果及ICP-OES的测试结果，结果表明，三者结果相近。

挑战

通过P31O16测试P ，避免N15O16、

Si28H1、 N14O16H1的干扰，获得更低检出限

基体

1%HNO3

目的

检测低含量P

样品和试剂

表 1 校准曲线

仪器方法

表2 PQMS配置参数

结果

表3 测试结果

表4 标准曲线及LOD

讨论

本实验采用冷焰条件，通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。线性相关系数0.999879 ，检出限低至0.0374ug/L。同时对比了冷焰条件、热焰条件下ICPMS的测试结果及ICP-OES的测试结果，结果表明，三者结果相近，充分证明了采用冷焰条件，通过测试 P31O16测试样品中的P是一种可靠的方法。

产品介绍

PlasmaQuant MS 无与伦比的灵敏度可显著提高样品分析效率降低单样品分析成本。设计的ICP-MS分析确保在极短的积分时间或大比例稀释的前提下，依然可以获得最低的检出限和恒定的分析速率。这就保证了最大的样品通量、分析结果的长期稳定性及重复性，并显著减少日常维护频率。

优势：

· 超高灵敏度：灵敏度【cps/ppm】低质量数：7Li ≥100 M，中质量数：115In ≥500 M，高质量数：238U ≥500 M; 氧化物产率（CeO+/Ce+）：≤1.8 %

· 最低运行成本：氩气消耗降低50%

·高效：样品分析速率提升 50%

· 稳定：轻松应对各种复杂基体，确保优异的长期稳定性

·灵活：根据不同应用多样化配置仪器